[发明专利]存储器件和存储装置有效

专利信息
申请号: 200410094244.7 申请日: 2004-11-29
公开(公告)号: CN1697195A 公开(公告)日: 2005-11-16
发明(设计)人: 荒谷胜久;前坂明弘;河内山彰;对马朋人 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01L27/24 分类号: H01L27/24;H01L27/10;G11C11/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 吕晓章;马莹
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种存储器件10具有如下的结构,其中,存储器薄膜4夹在第一和第二电极2和6之间,该存储器薄膜4至少包含稀土元素,该存储器薄膜4或与该存储器薄膜接触的层3包含从Cu、Ag、Zn中选出的任一种元素,而且该存储器薄膜4或与该存储器薄膜接触的层3包含从Te、S、Se中选出的任一种元素。该存储器件能方便稳定地记录并读出信息,并且该存储器件能由相对简单的制造方法方便地制造。
搜索关键词: 存储 器件 装置
【主权项】:
1.一种存储器件,包括:第一电极;第二电极;夹在第一和第二电极之间的存储器薄膜,其中,该存储器薄膜包含至少一稀土元素,所述存储器薄膜或与所述存储器薄膜接触的一个层包含从Cu、Ag、Zn中选择的任何一种元素,该存储器薄膜或所述与该存储器薄膜接触的层还包含从Te、S、Se中选择的任何一种元素。
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