[发明专利]离子注入诱导花卉试管内成花的方法

摘要

本发明公开了一种离子注入诱导花卉试管内成花的方法，旨在提供一种利用离子注入技术使不同花卉的生长发育过程完全在试管培养条件下进行，无论在任何季节都能开花，且花期长的花卉试管内成花的方法。它包括下述步骤：离子注入的步骤；种子灭菌处理的步骤；种子培养的步骤；继代分化促花培养的步骤。其中注入离子为P离子，所用电流为2～6μA，注入能量为90～120keV，注入剂量为0.5×10¹⁴～2×10¹⁷/cm²。培养温度为25℃±2℃，光照强度为2000～3000LX，光照长度为10～14h/天。种子培养基为在MS基本培养基或MS改良培养基中加入细胞分裂素0.3～0.8mg/L、生长素0.1～0.5mg/L、碳源10～30g/L、固形剂6.0～8.0g/L，pH值为5.5－6.5。

主权项

1.一种离子注入诱导花卉试管内成花的方法，其特征在于包括下述步骤：离子注入的步骤：取花卉种子排列在离子注入机样品架上，使离子束作用在每粒种子的相同部位上进行离子注入；注入离子为P离子，所用电流为2～6μA，注入能量为90～120keV，注入剂量为0.5×1014～2×1017/cm2；种子灭菌处理的步骤：将上述离子注入的种子进行灭菌处理；种子培养的步骤：将上述灭菌后的离子注入的种子接种在种子培养基上，培养温度为25℃±2℃，光照强度为2000～3000LX，光照长度为10～14h/天培养至发芽；继代分化促花培养的步骤：将上述发芽的植株转入继代分化和促花培养基中进行继代分化和/或促花培养，培养温度为25℃±2℃，光照强度为2000～3000LX，光照长度为10～14h/天。