[发明专利]一种无硬掩模的浅槽隔离工艺无效
| 申请号： | 200410093455.9 | 申请日： | 2004-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1632938A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 金虎 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陆飞 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是一种无硬掩模的浅槽隔离工艺。浅槽隔离技术(STI)是随着深亚微米集成电路技术的发展，而产生的一种新兴的场区隔离技术。该技术具有特征尺寸小、集成度高、隔离效果好的特点。但是，该技术硬掩模淀积工艺复杂、工艺需要时间长、工艺成本高，且硬掩模移除需要专用的步骤。本发明提出采用无硬掩膜的方法，通过CMP工艺对隔离介质淀积形成的高低形貌，进行平坦化，然后通过有光刻胶保护的湿法刻蚀去除剩余的氧化硅，完成浅槽隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无硬掩模 隔离工艺 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路制造技术中无硬掩膜的浅槽隔离工艺，其特征在于包括如下步骤：(1)在硅衬底上，直接通过光刻形成图形，然后以光刻胶作为阻挡层，直接在硅衬底上刻蚀隔离槽结构；(2)隔离槽侧壁氧化，淀积隔离介质；(3)CMP工艺对隔离介质进行平坦化，消除高低结构；(4)通过湿法刻蚀，去除多余的隔离介质形成浅槽隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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