[发明专利]高密度增强型只读式数字光盘无效
| 申请号： | 200410093315.1 | 申请日： | 2004-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1632870A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 魏劲松;干福熹;王阳;吴谊群 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种高密度增强型只读式数字光盘，其特征在于该光盘的结构依次是第一介电层、非线性掩膜层、第二介电层、金属氧化物信号增强层、第三介电层和盘基；所述的第一介电层、第二介电层和第三介电层均用氮化硅或ZnS－SiO2构成；所述的非线性掩膜层由Sb或Sb2Te3或AgInSbTe或Ge2Sb2Te5组成，所述的金属氧化物信号增强层由PtOx或AgOx组成，其中参数x的取值范围为0.1和2之间的任意值。盘基的最小坑点尺寸在200nm。本发明光盘结构，通过使用激光波长为650nm红光，数值孔径为0.60的光学头，实现坑点尺寸在200nm及其以上的读出。该只读式光盘的单面单层容量达到11.5GB，双面单层的容量达到23GB。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 增强 只读 数字 光盘 | ||
【主权项】：
1、一种高密度增强型只读式数字光盘，其特征在于该光盘的结构依次是第一介电层(1)、非线性掩膜层(2)、第二介电层(3)、金属氧化物信号增强层(4)、第三介电层(5)和盘基(6)；所述的第一介电层(1)、第二介电层(3)和第三介电层(5)均用氮化硅或ZnS-SiO2构成；所述的非线性掩膜层(2)由Sb或Sb2Te3或AgInSbTe或Ge2Sb2Te5组成，所述的金属氧化物信号增强层(4)由PtOx或AgOx组成，其中参数x的取值范围为0.1和2之间的任意值。
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