[发明专利]硅化物接触和硅化物栅金属集成的方法无效
| 申请号： | 200410092678.3 | 申请日： | 2004-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1624902A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 小西里尔·卡伯拉尔;贾库布·T.·克德泽尔斯基;维克托·库;克里斯蒂·拉沃伊;维贾·纳拉亚南;安·L.·希甘 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种CMOS硅化物金属集成方案，允许使用自对准工艺(salicide)以及一步和几步光刻工艺集成硅接触(S/D和栅)和金属硅化物栅。本发明的集成方案降低了制造包括硅化物接触和硅化物栅金属的CMOS结构的复杂性和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 硅化物 接触 硅化物栅 金属 集成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成互补金属氧化物半导体结构的方法，包括：提供一个平面化的结构，包括位于一个半导体衬底上的多个图形化的多晶硅栅区，每个含有一个暴露的上多晶硅含有表面，所述衬底含有在其中形成的硅化的源/漏区；形成包括第一金属含有层的第一双层，所述第一金属含有层与每个图形化的多晶硅栅区的暴露的上多晶硅含有表面相接触；图形化所述第一双层以提供图形化的结构，其中第一双层从预选的图形化多晶硅栅区中去除；在图形化的结构上形成包括第二金属含有层的第二双层，所述第二金属含有层与每个图形化的多晶硅栅区的暴露的上多晶硅含有表面相接触；以及进行自对准硅化物工艺将第一和第二金属含有层转化成金属硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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