[发明专利]光电转换器件和图像传感器IC

摘要

提供了一种具有低成本高S/N比的光电转换器件。该光电转换器件包括光接收元件，所述光接收元件包括：第一导电类型的第一半导体区域；形成在所述第一半导体区域中的第二导电类型的第二半导体区域；和靠近所述第二半导体区域经过绝缘体形成的栅电极。在所述光电转换器件中，栅电极下方的第一半导体区域的表面状态能在反转状态和积累状态构成的两种状态之间控制。

主权项

1.一种光电转换器件，包含光接收元件，所述光接收元件包括：用于形成光接收部分的第一导电类型的第一半导体区域；形成在所述第一导电区域表面上的第二导电类型的第二半导体区域；和在所述第一半导体区域表面上方靠近所述第二半导体区域经过绝缘体形成的栅电极，其中所述光接收元件通过切换施加到栅电极上的电压，而允许控制栅电极下方的所述第一半导体区域的表面状态在反转状态和积累状态构成的两种状态之间。