[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200410092215.7 | 申请日： | 2004-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1622337A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 姜泰旭;朴商一 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L51/20;H01L21/336;H01L51/40;G09F9/30;H05B33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。在该薄膜晶体管及其制造方法中，在衬底的整个表面上，在具有半导体层、栅极、源/漏极区和源/漏电极的薄膜晶体管的源/漏电极上，可依次形成有机平坦化层和无机层。在无机层上形成光致抗蚀剂图案后，可进行蚀刻工艺来覆盖有机平坦化层，以形成将象素电极连接到源/漏电极之一的接触孔或通孔。根据本发明的制造方法，可利用一个掩模形成传统利用两个或多个掩模形成的接触孔或通孔，从而简化工艺，并通过无机层提高与象素电极的粘结性，也提高了封装工艺中的密封粘结性，延长了所得薄膜晶体管的寿命。此薄膜晶体管可以适当地应用于有源矩阵型有机电致发光显示器。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：钝化层，形成于象素电极和具有半导体层、栅极、源/漏极区以及源/漏电极的薄膜晶体管的源/漏电极之间，其中该钝化层包括无机层和至少部分地处于该无机层下的有机平坦化层，其中该无机层的一部分与该象素电极直接接触，以及其中该有机平坦化层与该源/漏电极接触。
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