[发明专利]一种标准漏孔的制作方法有效
| 申请号： | 200410091941.7 | 申请日： | 2004-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1796958A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 刘亮;唐洁;柳鹏;胡昭复;杜秉初;郭彩林;陈丕瑾;葛帅平;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G01M3/02 | 分类号： | G01M3/02;G01N35/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种标准漏孔的制作方法。本发明所提供的标准漏孔制作方法包括以下步骤：提供一基底；在基底上形成一催化剂薄膜，其具有预定图案结构；在催化剂的位置生长出预定尺寸及数目的一维纳米结构；在基底上形成一第二膜层；去除一维纳米结构，使在第二膜层中形成尺寸与一维纳米结构相应的通孔，从而获得一标准漏孔。本发明通过数目、形状及尺寸可控的一维纳米结构作为制造模板，漏孔的漏率可由理论计算准确求得，因此可获得漏率可控性好、可自定标的标准漏孔；从而解决了现有技术中漏孔可控性差，且必须借助其它设备对其漏率值进行标定的不足。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 标准 漏孔 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种标准漏孔的制作方法，其包括以下步骤：提供一基底；在基底上形成一催化剂薄膜，其形成有预定图案结构；在上述催化剂的位置生长出预定尺寸及数目的一维纳米结构；在生长有一维纳米结构的基底上形成一第二膜层；去除一维纳米结构，使在第二膜层中形成尺寸与一维纳米结构相应的通孔。
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