[发明专利]图形形成方法和半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200410091568.5 | 申请日： | 2004-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1619770A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 近藤丈博;盐原英志;竹石知之;千叶谦治;伊藤信一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及图形形成方法和半导体器件的制造方法。本发明的目的在于实现用来形成今后所需要的微细的抗蚀剂图形的图形形成方法。本图形形成方法，具有：在衬底上形成第1抗蚀剂图形的工序(步骤S2)；向第1抗蚀剂图形上照射光的工序(步骤S3)；在第1抗蚀剂图形与抗蚀剂膜之间的界面上形成交联层，形成包括该交联层和第1抗蚀剂图形的第2抗蚀剂图形的工序(步骤S4)，在步骤S3中，根据在步骤S11－S113中预先求得的收缩量和照射量之间的对应关系，将要向第1抗蚀剂图形上照射的光的量设定为使得第2抗蚀剂图形的尺寸变成为规定的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 形成 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种图形形成方法，其特征在于，具有：在衬底上形成第1抗蚀剂图形的工序；向上述第1抗蚀剂图形上照射光或能束的工序；在上述衬底和上述第1抗蚀剂图形的上，形成含有交联剂的抗蚀剂膜的工序；使得在上述第1抗蚀剂图形和上述抗蚀剂膜之间的界面上发生交联反应，在上述第1抗蚀剂图形与上述抗蚀剂膜之间的界面上形成交联层，形成包括该交联层和上述第1抗蚀剂图形的第2抗蚀剂图形的工序，向上述第1抗蚀剂图形上照射光或能束的工序，包括设定要向上述第1抗蚀剂图形照射的光或能束的量的工序，该工序根据预先求得的上述第1抗蚀剂图形的尺寸与上述第2抗蚀剂图形的尺寸之间的差，和向上述第1抗蚀剂图形照射的光或能束的量之间的对应关系，使得上述第2抗蚀剂图形的尺寸变成为规定的尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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