[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200410091437.7 | 申请日： | 2004-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1619833A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 鸟居克行;高桥良治 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/72;H01L21/328;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是关于一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，提供一种带有设置于P型集电区(11)和P型(基区)之间(14)的N型缓冲区IGBT(10)。该缓冲区(12)中使用砷作为N型杂质。该缓冲区(12)具有相对较高的掺杂浓度，等于或大于5×1017cm－3，并且具有相对较小的厚度，约为2μm～10μm。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于其包括：一P型集电区(11)；一N型缓冲区(12)，其形成于所述P型集电区(11)之上；一N型基区(13)，其形成于所述N型缓冲区(12)之上并具有低于所述N型缓冲区(12)的掺杂浓度；一P型基区(14)，其形成于所述N型基区(13)的一表面区域内；和一N型发射区(15)，其形成于所述P型基区(14)的一表面区域内，其中，所述N型缓冲区(12)含有作为N型杂质的砷，其掺杂浓度等于或大于5×1017cm-3，并且厚度为2μm～10μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三垦电气株式会社，未经三垦电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410091437.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
