[发明专利]掺杂碳的二氧化硅膜的沉积方法与金属内连线的制造方法无效
| 申请号： | 200410090926.0 | 申请日： | 2004-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1624883A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 郑义荣;刘人豪;刘正雄;王英郎;林慧祈;邱建明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种掺杂碳的二氧化硅膜的沉积方法，包括下列步骤：首先，提供一基底并将其置于一CVD腔室中，接着，通入氧气、氩气与三甲基硅烷至该腔室，其流量比大体为1∶1.5∶6，且腔室温度大体介于300－ 400℃，形成此低介电常数介电层的沉积速率比过程中不通入氩气要快，且在氧气等离子体存在下介电常数大体为3的介电层其介电常数值仅会有些许增加。此外，可形成具有较高密度、硬度与张力强度的黑钻石层，并可使膜厚均一度在长时间内维持在2％以下，以降低清除微粒的操作次数并提供较低的氟碳等离子体蚀刻速率，改善镶嵌工艺中沟槽深度的控制能力，使形成的内连线具有较低漏电流与较高崩溃电压的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 二氧化硅 沉积 方法 金属 连线 制造 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂碳的二氧化硅膜的沉积方法，包括下列步骤：提供一基底；通入氧气与二甲基硅烷、三甲基硅烷以及四甲基硅烷三者之一至该基底；通入惰性气体；产生一等离子体，在一特定反应条件下沉积一掺杂碳的二氧化硅膜；以及持续沉积该二氧化硅膜，待该膜到达一适当厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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