[发明专利]场致发射器件有效
| 申请号： | 200410090325.X | 申请日： | 2004-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1598999A | 公开（公告）日： | 2005-03-23 |
| 发明（设计）人： | 宋润镐;黄治善;金光福 | 申请（专利权）人： | 韩国电子通信研究院 |
| 主分类号： | H01J3/02 | 分类号： | H01J3/02;H01J29/48;H01J37/073;H01J1/304;H01J1/46 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场致发射器件，包括：阴极，该阴极包括用于发射电子的电场发射极；用于感应电子发射的场致发射感应栅极；和一个用于接收所发射的电子的阳极。场致发射抑制栅极位于阴极和场致发射感应栅极之间，以用于抑制电子发射，这样可以显著地克服在传统场致发射器件中的例如栅极漏电流、阳极电压引起的电子发射和电子束分散的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 器件 | ||
【主权项】：
1.一种场致发射器件，包括：阴极，该阴极包括阴极基底、形成在阴极基底上的阴电极、和形成在阴电极一部分上的电场发射极；场致发射抑制栅极，其形成在阴极基底上以围绕电场发射极；场致发射感应栅极，其形成在场致发射抑制栅极上；和阳极，该阳极包括面向电场发射极的阳电极，以用于接收从电场发射极射出的电子，其中，场致发射抑制栅极抑制从电场发射极发射电子，场致发射感应栅极诱发电场发射极发射电子。
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