[发明专利]AD转换器有效
| 申请号： | 200410090101.9 | 申请日： | 2004-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1614895A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 川田刚嗣 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H03M1/38 | 分类号： | H03M1/38 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高AD变换的精度的AD转换器。本发明的AD转换器具有：在每一个连接部中产生用于将模拟值变换为数字值的基准电压的串联电阻体；和并列组合PMOSFET、NMOSFET而构成、设于所述连接部的半导体开关，在所述PMOSFET所具有的第一栅电极上施加第一电压而导通，且在所述NMOSFET所具有的第二栅电极上施加比所述第一电压还高的第二电压而导通，根据比较所述半导体开关所输出的所述基准电压与所述模拟值的结果，其特征在于，具有进行将施加在所述第一栅电极上的所述第一电压降压或将施加在所述第二栅电极上的所述第二电压升压的至少任意一方的控制电路。 | ||
| 搜索关键词： | ad 转换器 | ||
【主权项】：
1、一种AD转换器，其中具有：在每一个连接部中产生用于将模拟值变换为数字值的基准电压的串联电阻体；和并列组合PMOSFET、NMOSFET而构成、设于所述连接部的半导体开关，在所述PMOSFET所具有的第一栅电极上施加第一电压而导通，且在所述NMOSFET所具有的第二栅电极上施加比所述第一电压还高的第二电压而导通，根据比较所述半导体开关所输出的所述基准电压与所述模拟值的结果，生成所述数字值其特征在于，具备：进行将施加在所述第一栅电极上的所述第一电压降压或将施加在所述第二栅电极上的所述第二电压升压的至少任意一方的控制电路。
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