[发明专利]薄膜电容器、薄膜电容器内置型高密度组装衬底、及薄膜电容器的制造方法无效
| 申请号： | 200410089821.3 | 申请日： | 2004-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN1612273A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | 逢坂哲弥;小岩一郎;桥本晃;佐藤善美 | 申请（专利权）人： | 学校法人早稻田大学;冲电气工业株式会社;东京応化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/06;H01L21/822;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郭煜;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供不损害高密度组装衬底的电特性和尺寸特性，可内置在衬底内、并且具有充分的电容的薄膜电容器、薄膜电容器内置型高密度组装衬底、以及薄膜电容器的制造方法。制造下述结构的薄膜电容器，作为半导体布线板的内置用无源部件使用：至少具有高介电层和从上下夹住它的上部电极层和下部电极层而构成，上述上部和下部电极层的触点部引出到上述上部电极之上，上述高介电层的膜厚为200nm－50nm。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电容器 内置 高密度 组装 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜电容器，是可内置于高密度组装衬底中的薄膜电容器，其特征在于，该电容器至少由高介电电容器构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于学校法人早稻田大学;冲电气工业株式会社;东京応化工业株式会社，未经学校法人早稻田大学;冲电气工业株式会社;东京応化工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410089821.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于电磁干扰屏蔽的方法与装置
- 下一篇：参数显示方法及其程序，和参数设置装置
