[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法

摘要

本发明提出一种动态随机存取存储器及其制造方法，其具有碳化硅区及碳锗化硅掺杂区。该方法包括：提供衬底，该衬底具有一顶面与至少一深沟渠于衬底中，其中顶面上已覆盖有一图案化的掩模层，且深沟渠内已填充有一覆盖层覆盖深沟渠底部与侧壁下部分；于深沟渠的侧壁上部分的衬底中离子注入碳掺杂物以及锗掺杂物，以于深沟渠顶部侧壁的衬底中形成碳掺杂区及碳锗掺杂区，碳锗掺杂区位于碳掺杂区上方；形成一顶盖层覆盖深沟渠的侧壁上部分；以及进行至少一热工艺。由于碳化硅区能提供较高能带隙可减少漏电流，可减少下电极的深度，进一步增加存储单元对位线的电容比。另一方面，碳化硅区可减少结漏电流的现象。因此可有效延长数据保存时间。

主权项

1.一种动态随机存取存储器的制造方法，包括：提供一衬底，该衬底具有一顶面与至少一深沟渠于该衬底中，其中该顶面上已覆盖有一图案化的掩模层，且该深沟渠内已填充有一覆盖层覆盖该深沟渠的一底部与一侧壁的下部分；于该深沟渠的该侧壁的上部分的该衬底中离子注入一碳掺杂物以及一锗掺杂物，以于该深沟渠顶部侧壁的该衬底中形成一碳掺杂区及一碳锗掺杂区，该碳锗掺杂区位于该碳掺杂区上方；形成一顶盖层覆盖该深沟渠的该侧壁的上部分；以及进行至少一热工艺。