[发明专利]三维光学微腔式单光子源无效

专利信息
申请号: 200410089451.3 申请日: 2004-12-13
公开(公告)号: CN1632644A 公开(公告)日: 2005-06-29
发明(设计)人: 陆卫;王少伟;陈平平;李宁;张波;李志锋;陈效双 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: G02F1/00 分类号: G02F1/00
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 代理人: 张泽纯
地址: 20008*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种三维光学微腔式单光子源,该光子源包括:衬底,与衬底牢固结合的微腔膜系,嵌埋在微腔中的量子点,其特征在于:在微腔膜系上,靠近微腔四周刻有呈三角格子周期性分布的圆柱形空气柱,空气柱的深度为膜系的厚度。本发明的优点在于:由于采用准三维光子晶体结构的设计使光学微腔在各个方向上都有很好的限制能力,从原理上克服了传统结构在垂直方向上漏光的缺陷,而且可以方便地从多个嵌埋量子点中优选出单个量子点发光,形成光学微腔式的单光子源。
搜索关键词: 三维 光学 微腔式单 光子
【主权项】:
1.三维光学微腔式单光子源,包括:衬底(1),与衬底牢固结合的微腔膜系(2),嵌埋在微腔中的量子点(3),其特征在于:在微腔膜系(2)上,靠近微腔四周刻有呈三角格子周期性分布的圆柱形空气柱(4),空气柱(4)的深度为膜系(2)的厚度;所说的微腔膜系结构为: (LH)mnL(HL)m,其中(LH)m为微腔的下反射膜系(201),nL为微腔的谐振腔层(202),(HL)m为微腔的上反射膜系(203),L为低折射率膜层,H为高折射率膜层,m为L与H的交替叠层次数,m≥6,n为2的整数倍,n≥2,L和H膜层的厚度为λ0/4,λ0为量子点的荧光峰位;所说的量子点(3)嵌埋在微腔的谐振腔层(202)的中间。
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