[发明专利]可减少反应腔室沉积物的方法无效
| 申请号： | 200410089398.7 | 申请日： | 2004-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1787182A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 卓震宇;孙炳云;吕明政 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/306;H01L21/00;C23F4/00;C23F1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可减少反应腔室沉积物的方法，适用在反应腔室内进行的刻蚀工艺，其包括以下步骤，首先，在反应腔室内依次进行刻蚀工艺及灰化工艺，并通入灰化工艺所需的气体，以此缩短灰化工艺消除反应腔室内沉积物的时间；接着，在刻蚀工艺结束后，对反应腔室进行定期预防保养作业。本发明可减少反应腔室的沉积物与缩短产品的制造时间，减少了定期维修保养的次数，节省定期维修保养所需的人力和物力，并降低人为疏忽发生的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 反应 沉积物 方法 | ||
【主权项】：
1、一种可减少反应腔室沉积物的方法，适用于位于一反应腔室内的一刻蚀设备，所进行的一刻蚀工艺，包括下列步骤：在该反应腔室内依次进行该刻蚀工艺及一灰化工艺，并通入该灰化工艺所需的一气体，以此缩短使该灰化工艺消除该反应腔室内沉积物的时间；以及在刻蚀工艺结束后，对该反应腔室及该刻蚀设备进行一定期预防保养作业。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
