[发明专利]一种静电放电保护电路

摘要

本发明公开了一种静电放电保护电路，包括由PMOS管MP1、NMOS管MN4作为电阻分别与电容C1、C2串接构成的阻容回路，连接在电源与地线之间；PMOS管MP2与NMOS管MN2串接、PMOS管MP4与NMOS管MN3串接构成的第一、二反相器；作为放电管的NMOS管MN1、PMOS管MP3。本发明利用阻容耦合通过反向器控制ESD放电管达到加快泄放电荷的效果，增强ESD保护的能力。可以用于IC卡等对ESD要求较高的芯片。

主权项

1、一种静电放电保护电路，其特征在于：包括由PMOS管MP1、NMOS管MN4作为电阻分别与电容C1、C2串接构成的阻容回路，连接在电源与地线之间；PMOS管MP2与NMOS管MN2串接、PMOS管MP4与NMOS管MN3串接构成的第一、二反相器；阻容回路PMOS管MP1和电容C1的接点与第一反相器的输入端连接，第一反相器的输出端连接作为放电管的NMOS管MN1的栅极；阻容回路NMOS管MN4和电容C2的接点与第二反相器输入端连接，第二反相器的输出端连接作为放电管的PMOS管MP3的栅极；第二反相器的NMOS管MN3、第一反相器的PMOS管MP2的源极，放电管MN1、MP3的漏极相连接；在正常工作时，由于电容C1通过PMOS管MP1充电到电压VDD，第一反相器的NMOS管MN2导通，PMOS管MP2截止，造成放电管MN1截止，即保护电路不影响电路的正常输入；在正常工作时，第二反相器的NMOS管MN3导通，PMOS管MP4截止，放电管MN1截止；PS模式下当ESD脉冲到来时，由于电容C1尚未充电，第一反相器的NMOS管MN2截止，PMOS管MP2导通，放电管MN1的栅极将大于Vtn，从而使放电管MN1导通放电，增强了ESD保护的能力；ND模式下，PMOS管MP4截止，NMOS管MN3导通，从而使放电管MP3导通放电。