[发明专利]一种新型MOS开关栅增压电路

摘要

本发明为一种新型的MOS开关栅增压电路。在集成电路朝向深亚微米低压低功耗发展，由于MOS器件的非零导通电阻对开关电容电路的负面效应，遇到了很大的挑战。本发明提出的MOS栅增压电路，使得信号开关器件的栅电压跟输入信号无关，保持开关的导通电阻是常数，从而消除了信号的损失，而且在充电电容的电压传输路径中的开关导通电阻也跟信号无关，大大降低了信号的失真。另外，所有的NMOS开关电路的衬底始终接在电路的最低电平上，这样易于在普通的双井CMOS工艺上实现，可降低产品成本。本发明采用0.25μm 2.5V CMOS工艺，通过计算机辅助设计软件的仿真，表明可以适用于高速低电压开关电容电路。

主权项

1、一种MOS开关增压电路，其特征在于具体结构如下：P型MOS管M8和M9的衬底端接在电容C1的正极板，而M9的漏端接在N型开关管MS的栅极；电路中的P型MOS管M1、N型MOS管M3和P型晶体管M5、N型MOS管M6组成两对传输门，保证输入信号在高低电压无损失的传输到传输门的另一端；这两个传输门的一端接输入信号Vin，另一端分别接n1节点和电容C1的负极板；P型MOS管M2的栅极接时钟信号Clk，漏源两端分别接n1节点和电源电压，它的作用是当M2导通时，让M9管的栅电压为高电平，关闭M9，阻止n4节点的电压加到MS管的栅端。N型MOS管M4的漏源两端分别接输入信号和n1节点；N型MOS管M7的漏源两端分别接输入信号和电容C1的负极板；N型MOS管M11和M13的栅极连接到时钟信号，M11的漏源端分别接M13的源端和电源地，M13的漏源端分别接MS的栅端和M11的漏端；N型MOS管M12和M14的漏端都接电源电压，源端分别接在M11的漏端和n3节点。