[发明专利]电光装置、电光装置用基板及制造方法、曝光掩模及电子设备有效
| 申请号: | 200410088963.8 | 申请日: | 2004-11-09 |
| 公开(公告)号: | CN1617046A | 公开(公告)日: | 2005-05-18 |
| 发明(设计)人: | 中野智之;金子英树;大竹俊裕;泷泽圭二 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;G02F1/1335;G02F1/133;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明可藉助简易制造工序得到具有良好的光散射效果的反射层。本发明的曝光用掩模7a用于将膜体51的被加工区域511制作成为粗糙面的曝光处理中。此曝光用掩模7a具有第一区域71和第二区域72。其中第一区域71用作使射向被加工区域511的周边的光透射的透光部81。另一方面,第二区域72,在包含分别设置遮蔽射向被加工区域511的光的遮光部84的多个点区域721的同时,在点区域721以外的区域设置以低于透光部81的光透射率使射向被加工区域511的光透射的半透射部86。 | ||
| 搜索关键词: | 电光 装置 用基板 制造 方法 曝光 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种曝光用掩模,在用来使膜体中被加工区域成为粗糙面的曝光处理中使用的此掩模包括:具有使射向上述被加工区域的周边的光透射的透光部的第一区域;和具有分别设置的遮蔽射向上述被加工区域的光的遮光部的多个点区域,并且在上述各点区域以外的区域设置有以比上述透光部低的光透射率使射向上述被加工区域的光透射的半透射部的第二区域。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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