[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制造方法，在形成布线沟之前形成通路孔的双金属镶嵌工序中，防止在对由SiOC膜构成的层间绝缘膜干法刻蚀时使用氧化铝掩模的情况下会产生的通路孔的形状不良。在中间隔着顶盖绝缘膜(31)地在由低介电常数的SiOC膜构成的层间绝缘膜(30)的上部形成了氧化铝掩模(32a)后，以光致抗蚀剂膜为掩模干法刻蚀顶盖绝缘膜(31)和层间绝缘膜(30)，由此形成通路孔(37)。其次，在除去了光致抗蚀剂膜之后，使用稀氟酸清洗液清洗通路孔(37)的内部，除去氧化铝残渣。然后，以氧化铝掩模(32a)为掩模干法刻蚀顶盖绝缘膜(31)和层间绝缘膜(30)，由此形成布线沟。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括以下的步骤：(a)在形成了导电层的半导体衬底上形成以SiOC膜为主体的层间绝缘膜后，在上述层间绝缘膜上形成进行了布线沟形成区域的开口的氧化铝掩模的步骤；(b)在上述(a)步骤之后，用以光致抗蚀剂膜为掩模的干法刻蚀在上述导电层的上部的上述层间绝缘膜上形成通路孔的步骤；(c)在除去了上述光致抗蚀剂膜之后，用氟酸清洗上述通路孔的内部的步骤；(d)在上述(c)步骤之后，用以上述氧化铝掩模为掩模的干法刻蚀在上述层间绝缘膜上形成布线沟的步骤；(e)在上述(d)步骤之后，除去上述氧化铝掩模的步骤；(f)在上述(e)步骤之后，在上述通路孔和上述布线沟的内部形成由以铜为主体的导电膜构成的布线，由此把上述布线和上述导电层电连接起来的步骤。