[发明专利]半导体元件的制造方法

摘要

一种半导体元件的制造方法，此方法提供一基底，此基底中已形成第一金属层和第二金属层。于此基底上依序形成第一介电层、具有位于第一金属层上方的第一开口与位于第二金属层上方的第二开口的蚀刻终止层、以及第二介电层。移除部分第一介电层与第二介电层形成暴露第一金属层的第一沟槽。之后，于基底上形成电容介电层，并于此电容介电层中形成位于第二金属层上方的第三开口。移除第三开口所暴露的电容介电层、第二介电层与第一介电层以形成暴露第二金属层的开口。之后，于第一沟槽与开口填入一金属。

主权项

1、一种半导体元件的制造方法，适用于同时形成一导线结构与一电容器，该方法包括：提供一基底，该基底已形成一第一导体层和一第二导体层；于该基底上形成一第一介电层；于该第一介电层上形成一蚀刻终止层；图案化该蚀刻终止层，以形成位于该第一导体层上方的一第一开口与位于该第二导体层上方的一第二开口；于该基底上形成一第二介电层；移除部分该第二介电层与该第一介电层以形成暴露该第一导体层的一第一沟槽；于该基底上形成一电容介电层；于该电容介电层上形成一图案化掩模层，该图案化掩模层具有位于该第二导体层上方的一第三开口；移除该第三开口暴露的部分该电容介电层、该第二介电层与该第一介电层，以形成暴露该第二导体层的一第四开口；移除该图案化掩模层；于该基底上形成一第三导体层；以及移除该第一沟槽与该第四开口以外的该第三导体层。