[发明专利]动态随机存取存储器的结构有效

专利信息
申请号: 200410088174.4 申请日: 2004-10-14
公开(公告)号: CN1761063A 公开(公告)日: 2006-04-19
发明(设计)人: 洪瑞源;简荣吾 申请(专利权)人: 茂德科技股份有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;G11C11/34
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种动态随机存取存储器结构,将基材上各存储晶胞单元的有源区单独排列,且同时设计深沟槽图案为一棋盘式排列,其中,各相邻深沟槽图案之间皆维持一固定间距。利用长型位线接触插塞的设置,以电连接对角相邻的每两个存储单元的有源区,其中,每一长型位线接触插塞上还设置有一接触窗口,以连接位线,进而使对角相邻的存储单元可由同一位线所控制。
搜索关键词: 动态 随机存取存储器 结构
【主权项】:
1、一种动态随机存取存储器的结构,至少包括:多个有源区,位于一基材中,且排列成多条横向阵列,其中,每一该些有源区彼此结构独立;多个深沟槽,其中,每一该些深沟槽,位于每一该些有源区内的该基材中,且该些深沟槽构成一棋盘式排列,而于同列相邻的每一深沟槽间维持一固定间距;多个长型位线接触插塞,位于该些有源区的上方,并与该些有源区相接触,其中,每一该些长型位线接触插塞连接对角相邻的该些有源区的其中之二;多条字线,位于该些有源区的上方,其中,每一该些字线为一纵向阵列,且每一该些有源区与每两个该些字线交叉重叠;以及多条位线,通过该些长型位线接触插塞的上方,且与该些长型位线接触插塞相接触,其中,该些位线与该些字线形成一交叉阵列。
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