[发明专利]磁阻效应元件、磁存储单元及磁存储器

摘要

提供一种能够高效利用由写入线上流动的电流形成的磁场，稳定地进行信息写入，且设计上自由度高的磁存储器件。具有为围住写入字线(6)及写入位线(5)而沿环回方向环状配置的、具有隔着设于环回方向上的一部分的间隙而互相对向的一对开放端(K4)的磁轭(4)以及包含其磁化方向随外部磁场变化而变化的第二磁性层(8)且具有一对端面(K20)的层叠体(S20)，层叠体(S20)配置在间隙中，使一对端面(K20)的各端面与一对开放端(K4)的每一端互相对向。从而能够高效地进行第二磁性层(8)的磁化反转，并且与层叠体和磁轭互相连接的情况相比，能够在大的范围内选择构成层叠体(S20)的材料，充分发挥层叠体的磁性能和电性能。

主权项

1.一种磁阻效应元件，其特征在于：设有在沿导线的延伸方向的一部分区域上为围住所述导线而沿环回方向环状配置的、具有隔着在所述环回方向的一部分上设置的间隙而互相对向的一对断开端的磁轭，以及包含其磁化方向因外部磁场而变化的感磁层的、具有一对端面的层叠体；所述层叠体配置在所述间隙中，使所述一对端面的各端面与所述一对断开端的各端互相对向。