[发明专利]具有抗全反射增透薄膜的发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 200410086852.3 | 申请日： | 2004-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1604352A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 李德杰 | 申请（专利权）人： | 李德杰 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 100084北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有抗全反射增透薄膜的发光二极管，属于光电子技术领域，该发光二极管结构主要包括衬底，N型电极、N型层、发光层、P型层、P型电极(N型和P型的相对位置可以互换)，还包括由金属薄膜经过氧化形成的氧化物薄膜构成的抗全反射增透膜，所述的氧化物薄膜设置在该发光二极管的出光面上，形成的氧化物薄膜厚度为100－1000纳米，该薄膜表面起伏大于50纳米。本发明适于各种类型的发光二极管，特别适合蓝光、绿光和紫外光发光二极管。与已有技术相比，发光效率改善大，结构简单，制造成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 全反射 薄膜 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有抗全反射增透薄膜的发光二极管，该发光二极管主要包括N型电极、N型层、发光层、P型层、P型电极，其特征在于，还包括由金属薄膜经过氧化形成的氧化物薄膜构成的抗全反射增透膜，所述的氧化物薄膜设置在该发光二极管的出光面上，厚度在100-1000纳米的范围内，该薄膜表面起伏大于50纳米。
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