[发明专利]在电子衬底中确定对准误差的靶系统和方法有效
| 申请号: | 200410086813.3 | 申请日: | 2004-10-28 |
| 公开(公告)号: | CN1619769A | 公开(公告)日: | 2005-05-25 |
| 发明(设计)人: | C·P·奥施尼特;J·D·莫里洛 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于静;李峥 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 一种在电子衬底中确定对准误差的方法,包括在衬底层上提供第一对比单元组,形成在x和y方向具有多个栅格段的第一栅格图形。该方法还包括在衬底的相同或不同层上提供嵌套于至少一个第一栅格图形段中的第二对比单元组,形成在x和y方向具有多个栅格段的第二栅格图形。该方法还包括确定在第一栅格图形中的第一单元组的中心和确定在第二栅格图形中的第二单元组的中心。该方还包括比较第一和第二单元组的中心,以及确定第一和第二栅格图形的对准误差。 | ||
| 搜索关键词: | 电子 衬底 确定 对准 误差 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于在电子衬底中确定对准误差的靶系统,包括:第一对比单元组,形成单元之间具有一距离的第一栅格图形,第一栅格图形至少在x和y的一个方向具有多个栅格段;以及至少一个第二对比单元组,形成单元之间具有一距离的第二栅格图形,第二栅格图形在x和y方向具有多个栅格段,第二单元组之间的距离小于第一单元组之间的距离,第二栅格图形被设置于一个第一栅格图形段内,其中通过测量第一和第二栅格图形中的第一和第二单元组之间的距离确定对准误差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





