[发明专利]垂直磁记录介质及制造该垂直磁记录介质的方法有效
| 申请号： | 200410086640.5 | 申请日： | 2004-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1648997A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 竹野人俊司;酒井泰志 | 申请（专利权）人： | 富士电机电子设备技术株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/84;G11B5/85 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳;彭益群 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及安装在各种磁记录设备上的垂直磁记录介质和制造该介质的方法。本发明的目的是通过增强信号输出和降低噪声来提高S/N(信号输出与噪声之比)。本发明的另一个目的是提供适合大规模生产的简单的制造方法，并且通过提高记录分辨率提供一种高记录密度的介质。在本发明的垂直磁记录介质中，在磁记录层中的每个磁性晶粒具有多层结构，并且具有类似截锥形的构形，其中在最终阶段沉积在薄膜表面侧的最终层的晶粒的直径小于在初始阶段沉积在衬底侧的初始层的晶粒的直径。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 记录 介质 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种垂直磁记录介质，包括在非磁性衬底上形成的磁记录层，该磁记录层包括多个磁性晶粒，其中每个磁性晶粒具有多层结构，该多层结构叠置了在形成磁记录层的初始阶段到最终阶段中沉积的多个层，并且在最终阶段沉积在薄膜表面侧的最终层中的每个磁性晶粒的直径小于在初始阶段沉积在衬底侧的初始层中的每个磁性晶粒的直径。
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