[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法

摘要

提供了一种技术，该技术允许电测试具有以窄间距布置的测试焊盘的半导体集成电路器件。棱锥体或梯形棱锥体形状的探针由通过连续地层叠铑膜和镍膜形成的金属膜形成。通过互连和金属膜之间的聚酰亚胺膜中形成的通孔，互连电连接到金属膜。通过旋转配备有其他探针和通孔的其他金属膜的平面图形获得配备有一个探针和通孔的金属膜之一的平面图形。

主权项

1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)制备分为多个芯片区的半导体晶片，每个所述芯片区具有在其上方形成的半导体集成电路，以及具有形成在所述晶片的主表面上方、将电连接到所述半导体集成电路的多个第一电极；(b)制备包括布线衬底的第一卡，该布线衬底具有在其上方形成的第一互连；第一薄片，具有将与所述第一电极接触的多个接触端子和将电连接到该接触端子的第二互连，所述第二互连电连接到所述第一互连，以及所述接触端子的尖端部分固定到所述布线衬底，以便与所述半导体晶片的所述主表面相对；以及用于从所述第一薄片的后表面挤压其中形成了所述接触端子的所述第一薄片的区域的挤压机构；以及(c)通过使所述接触端子的所述尖端部分与所述第一电极接触，执行所述半导体集成电路的电测试，其中所述接触端子的每个所述尖端部分布置在所述第一薄片的所述主表面上方，以便与所述第一电极的相应电极相对，以及其中所述第一电极布置在沿每个所述芯片区周边的多个行中，以及第一行中包括的所述第一电极和第二行中包括的所述第一电极交替地布置在沿每个所述芯片区所述周边的方向中。