[发明专利]使用双重阴极频率混合的等离子体控制有效
| 申请号： | 200410086524.3 | 申请日： | 2004-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1655328A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 史蒂芬·C·雪农;丹尼斯·S·格理玛;斯而多洛斯·派纳购波洛斯;丹尼尔·J·赫夫曼;麦可·G·契凡;特洛伊·S·迪崔克;艾力克斯·派特森;刘津包;辛泰厚;布瑞恩·Y·PU | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/00;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 美国加州*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种在使用双重频率射频电源的半导体基底制程腔体中，用于等离子体特性的控制的方法与设备。该方法包括，例如提供一第一射频信号到配置在一制程腔体中的一第一电极，以及提供一第二射频信号到该第一电极，其中介于第一与第二射频信号的一互动，被用于控制制程腔体中所形成等离子体的至少一特性。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 双重 阴极 频率 混合 等离子体 控制 | ||
【主权项】：
1.一种控制等离子体特性的方法，适用于使用双重频率的射频电源的半导体基底制程腔体，其特征在于，包括：提供第一射频信号到配置在制程腔体中的第一电极；以及提供第二射频信号到该第一电极，其中介于该第一射频信号与该第二射频信号之间的互动，被用于控制在该制程腔体中所形成等离子体的至少一特性。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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