[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200410086184.4 | 申请日： | 1994-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1624866A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 大谷久;安达广树;宫永昭治;高山彻 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/336;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郭煜;刘玥 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是，在使用促进结晶化的催化剂元素于550℃进行4小时加热处理而得到结晶性硅的方法中，精确地控制催化剂元素的引入量。在玻璃衬底11上形成的无定形硅膜12，进而在该无定形硅膜12上形成掩膜21，将含有10～200ppm(需调整)镍等催化剂元素的乙酸盐溶液(或其它水溶液)14滴下。在该状态下保持一定的时间，用旋转器15进行旋转干燥，然后在550℃进行4小时加热处理，得到结晶性硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体装置的制造方法，包括：在衬底上方形成含有无定形硅的膜的工序；在上述含有无定形硅的膜上用光刻胶形成掩膜的工序；将上述含无定形硅的膜的暴露区域氧化，从而形成含氧化硅的膜的工序；在上述含氧化硅的膜上涂敷将含催化剂元素的化合物溶解或分散在极性溶剂中得到的溶液的工序；以及对上述含无定形硅的膜进行加热处理，从而使之结晶化的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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