[发明专利]半导体装置组及其制造方法、半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置组及其制造方法，能优先开发不混装非易失性存储器工艺技术，同时在不混装非易失性存储器的半导体装置和混装非易失性存储器的半导体装置间可使用公共设计宏。半导体装置组包括：包含第一设计宏和非易失性存储器的第一半导体装置；包含与第一设计宏有相同性的第二设计宏、不包含非易失性存储器的第二半导体装置，第一设计宏有在第一半导体基板形成的第一活性区域和第一元件分离区域，第二设计宏有在第二半导体基板形成的第二活性区域和第二元件分离区域，第一活性区域截面上端部的曲率半径大于第二活性区域截面上端部的曲率半径，第一活性区域表面与第一元件分离区域表面的高差大于第二活性区域表面与第二元件分离区域表面的高差。

主权项

1.一种半导体装置组，包括：包含第一设计宏和非易失性存储器的第一半导体装置；包含与上述第一设计宏具有相同性的第二设计宏、不包含非易失性存储器的第二半导体装置，其特征在于，上述第一设计宏具有在第一半导体基板上形成的第一活性区域和第一元件分离区域，上述第二设计宏具有在第二半导体基板上形成的第二活性区域和第二元件分离区域，上述第一活性区域的截面上端部的曲率半径大于上述第二活性区域的截面上端部的曲率半径，上述第一活性区域的表面与上述第一元件分离区域的表面的高度差大于上述第二活性区域的表面与上述第二元件分离区域的表面的高度差。