[发明专利]半导体芯片无效
申请号: | 200410085992.9 | 申请日: | 2004-10-27 |
公开(公告)号: | CN1612342A | 公开(公告)日: | 2005-05-04 |
发明(设计)人: | 尾形义春 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L23/00;H01L21/304 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 半导体芯片(10),包括具有相互反向朝向且平行的第1以及第2面(14、16),和连接第1以及第2面(14、16)的周边的多个侧面(21~24)的半导体基板(12)。多个侧面(21~24)的至少一个是对第1以及第2面(14、16)倾斜的面,在倾斜面上形成槽(26)。槽(26),对与第1以及第2面(14、16)平行的平面交差的方向上延伸,同时在与第1以及第2面(14、16)垂直的平面交差的方向上延伸。这样,在半导体芯片表面上形成凹凸时不易破裂。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 | ||
【主权项】:
1、一种半导体芯片,其特征在于,包括:半导体基板,包括相互反向朝向且平行的第1以及第2面,和连接所述第1以及第2面的周边的多个侧面;集成电路,其在所述半导体基板的所述第1面上形成;和电极,其在所述半导体基板的所述第1面上形成;所述多个侧面的至少一个是对所述第1以及第2面倾斜的面;在所述倾斜面上形成槽;所述槽,对与第1以及第2面平行的平面交差的方向上延伸,同时在与第1以及第2面垂直的平面交差的方向上延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的