[发明专利]高频二极管有效
| 申请号： | 200410085140.X | 申请日： | 2004-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1601757A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | R·洛塞汉德 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高频二极管，其包括具有一第一导电类型的一第一半导体区域(302)，以及相邻于该第一半导体区域(302)、且具有不同于该第一导电类型之一第二导电类型的一势垒区域(100)，再者，该高频二极管系亦包括相邻于该势垒区域(100)的一第二半导体区域(308)，且该第二半导体区域(308)系具有该第二导电类型，以及系具有低于该势垒区域(100)之掺质浓度、或是等于零的一掺质浓度，更甚者，该高频二极管也包括相邻于该第二半导体区域(308)的一第三半导体区域(312)，且该第三半导体区域(312)系具有与该第二半导体区域(308)相同之导电类型，以及系具有较该势垒区域(100)为高的一掺质浓度。而透过如此的一结构，其系有可能提供具有短暂切换时间以及低偏压的一高频二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种高频二极管，包括：一第一半导体区域(302)，其系具有一第一导电类型；一势垒区域(100)，其系相邻于该第一半导体区域(302)，并且具有不同于该第一导电类型的一第二导电类型；一第二半导体区域(308)，其系相邻于该势垒区域(100)，并且具有该第二导电类型以及一掺质浓度，其中，该掺质浓度系低于该势垒区域(100)的一掺质浓度、或是等于零；以及一第三半导体区域(312)，其系相邻于该第二半导体区域(308)，并且具有一第二导电类型以及较该势垒区域(100)为高的一掺质浓度。
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