[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410084995.0 | 申请日： | 2004-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1606156A | 公开（公告）日： | 2005-04-13 |
| 发明（设计）人： | 进藤昭则 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/522;H01L23/00;H01L21/28;H01L21/60;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种备有在利用热压接等进行安装时、不会破坏有源面下部的半导体元件的凸起电极的半导体器件及其制造方法。当与衬底电极(5)接触的凸起电极(8)的面积比孔部(4)的底面的面积相对地大时，凸起电极(8)的下表面与聚酰亚胺层(3)的接触面积增大。其结果是，聚酰亚胺层(3)缓和安装时的冲击负荷的效果增大。此外，通过对于导通层(7)使用与凸起电极(8)相同或者具有比其具有更大柔软性的材料，能够缓和安装时的冲击负荷。从而，可以更有效地抑制凸起电极(8)的正下方的半导体元件等的破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：具有电极的半导体基板，保护前述电极的保护绝缘层，形成在前述保护绝缘层上的缓冲层，以贯通前述保护绝缘层及前述缓冲层的方式设置在前述电极上的孔部，在前述缓冲层的表面、前述孔部的内面及前述电极的表面上形成的衬底电极，用导电性材料埋入前述孔部而形成的导通层，形成在前述衬底电极上及前述导通层上的凸起电极，其中，前述导电性材料是比前述凸起电极柔软的材料。
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