[发明专利]信息记录介质及其生产方法和溅射靶子无效
| 申请号： | 200410084969.8 | 申请日： | 2004-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1606080A | 公开（公告）日： | 2005-04-13 |
| 发明（设计）人： | 宇野真由美;儿岛理惠;山田升 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24;G11B7/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈长会 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在生产包含氧含量更低的氧化物作为主要成分的一次书写记录介质时，如果通过引入大量氧到膜形成气体中进行记录层的膜形成并且溅射靶子不含氧，那么生产出的每个介质具有不同性能，这是因为气体中的氧流量容易变化，并且记录层中所含的氧的组分比也容易变化。为解决上述问题，在基质上至少具有记录层和能够记录与复制信息的信息记录介质含有氧化物A－O或A－O－M(A是至少含有Te，Sb，Ge，Sn，In，Zn，Mo和W中任意一种的材料，而M是至少含有金属元素、半金属元素和半导体金属元素中任意一种的材料)，在生产该层的过程中使用的溅射靶子至少含有A－O和，A和/或M。使用该方法，甚至可在大规模生产线上生产出具有高重现性和稳定性的记录层。 | ||
| 搜索关键词： | 信息 记录 介质 及其 生产 方法 溅射 靶子 | ||
【主权项】：
1.一种生产信息记录介质的方法，所述信息记录介质在基质上至少有记录层并能够记录与复制信息；其中所述的记录层含有氧化物A-O或A-O-M，A是至少含有Te、Sb、Ge、Sn、In、Zn、Mo和W中任意一种的材料，而M是至少含有金属元素、半金属元素或半导体金属元素中任意一种的材料；包括采用在生产至少含有A-O，和A和/或M的记录层的方法中使用的溅射靶子。
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