[发明专利]高亮度氮化铟镓铝发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 200410084915.1 | 申请日： | 2004-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1758448A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 吴仁钊;杜全成;黄宝亿 | 申请（专利权）人： | 国联光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高亮度氮化铟镓铝发光二极管及其制造方法，该发光二极管包含衬底、第一导电型氮化物层、活性层、第二导电型氮化物层、第一接触层、第二接触层、以及导电透光层。第一接触层具有第一带隙及第一掺杂浓度，并且位于第二导电型氮化物层上。第二接触层具有第二带隙及第二掺杂浓度，并且位于第一接触层上。第一掺杂浓度与第二掺杂浓度分别大于一预定浓度，且第一带隙小于第二带隙。第二接触层小于一预定厚度，使导电透光层与第二接触层之间在发光二极管工作时产生一隧道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 亮度 氮化 铟镓铝 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包含：一衬底；一第一导电型氮化物层，位于该衬底上以作为一包覆层；一活性层，位于该第一导电型氮化物层上以作为一发光层；一第二导电型氮化物层，位于该活性层上以作为一包覆层；一第一接触层，位于该第二导电型氮化物层上，该第一接触层具有一第一带隙；一第二接触层，位于该第一接触层上，该第二接触层具有一第二带隙，其中该第一带隙小于该第二带隙；以及一导电透光层，位于该第二接触层上；其中该第二接触层小于一预定厚度，使该导电透光层与该第二接触层之间在该发光二极管工作时产生一隧道效应。
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