[发明专利]用于金属阻挡层与晶种集成的方法与系统有效
| 申请号： | 200410084788.5 | 申请日： | 2004-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1779915A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 汪钉崇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于在半导体器件中形成电极的方法。所述方法包括在第一层中形成一个沟槽。第一层与一个顶表面相关联，沟槽与一个底表面和一个侧表面相关联。此外，所述方法包括在至少所述底表面、所述侧表面和一部分所述顶表面上沉积一个扩散阻挡层，从所述底表面的至少一部分上去除所述扩散阻挡层，在至少所述底表面的所述部分和所述扩散阻挡层上沉积一个晶种层，以及在所述晶种层上沉积一个电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 阻挡 集成 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于在半导体器件中制备电极的方法，所述方法包括：在第一层中形成一个沟槽，所述第一层与一个顶表面相关联，所述沟槽与一个底表面和一个侧表面相关联；在至少所述底表面、所述侧表面和一部分所述顶表面上沉积一个扩散阻挡层；从所述底表面的至少一部分上去除所述扩散阻挡层；在至少所述底表面的所述部分和所述扩散阻挡层上沉积一个晶种层；在所述晶种层上沉积一个电极层；其中去除所述扩散阻挡层包括至少露出所述底表面的所述部分；其中去除所述扩散阻挡层与第一蚀刻速率和第一沉积速率相关联，并且所述第一蚀刻速率和所述第一沉积速率与所述底表面相关，所述第一蚀刻速率高于所述第一沉积速率；其中去除所述扩散阻挡层还与第二蚀刻速率和第二沉积速率相关联，并且所述第二蚀刻速率和所述第二沉积速率与所述顶表面相关，所述第二蚀刻速率低于所述第二沉积速率；其中去除所述扩散阻挡层还与交流功率电平和直流功率电平相关联，其中所述直流功率电平与所述交流功率电平的比率在1.0至1.3的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
