[发明专利]一种用于单光子源的单量子点嵌埋光学微腔及制备方法无效
| 申请号： | 200410084778.1 | 申请日： | 2004-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1638218A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 陆卫;王少伟;陈平平;李宁;张波;李志锋;陈效双 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于单光子源的单量子点嵌埋光学微腔及制备方法，光学微腔包括：衬底，与衬底牢固结合的光学微腔，嵌埋在光学微腔中的单量子点。所说的光学微腔由光学膜系构成，其膜系的带通峰位与量子点的荧光峰位一致。其制备方法是将量子点的生长过程与光学微腔的制备过程分离开来，使其不再直接关联，从而使得两个制备过程之间不再相互制约，极大地拓宽了两个独立制备过程各自的选择范围，可以设计制备出性能更优良的光学微腔和量子点，而且大大简化了整个制备工艺过程，最终使得制备高性能的单量子点嵌埋光学微腔成为现实。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 光子 量子 点嵌埋 光学 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于单光子源的单量子点嵌埋光学微腔，包括：衬底(1)，与衬底牢固结合的光学微腔(2)，嵌埋在光学微腔中的单量子点(3)，其特征在于：所说的光学微腔由光学膜系构成，其膜系的带通峰位与量子点的荧光峰位一致，结构为 (LH)mnL(HL)m，其中(LH)m为微腔的下反射膜系(201)，nL为谐振腔层(202)，(HL)m为微腔的上反射膜系(203)，L为低折射率膜层，H为高折射率膜层，m为L与H的交替叠层次数，m≥6，n为2的整数倍，n≥2，L和H膜层的厚度为1/4λ0，λ0 为荧光峰位；所说的单量子点(3)嵌埋在谐振腔层(202)的中间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所，未经中国科学院上海技术物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410084778.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
