[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管和肖特基二极管结合的瘦小外形封装

摘要

本发明提供一种MOSFET和肖特基二极管结合的瘦小外形封装，其包含MOSFET S极，MOSFET G极，MOSFET D极，肖特基二极管的K极和A极，该MOSFET的D极与肖特基二极管的A极位于同一侧；还包含一引线框架，该引线框架包含第一引线为肖特基二极管的K极，与肖特基二极管的第二载片台相连；第四引线为MOSFET的D极，其和MOSFET的第一载片台相连；MOSFET的D极与肖特基二极管的K极位于相对的两侧。本发明使MOSFET的D极与肖特基二极管的K极位于封装器件的同一侧，简化外部输出的结构，缩短电流路径，有效提升了电源的效率，降低设计的复杂程度，延长电池的使用时间。

主权项

1.一种MOSFET和肖特基二极管结合的瘦小外形封装，其包含MOSFET S极，MOSFET G极，MOSFET D极，肖特基二极管的K极和A极，特征在于，MOSFET的D极与肖特基二极管的A极位于同一侧。