[发明专利]一种图像感应器的接触孔的刻蚀方法

摘要

本发明有关一种图像感应器的接触孔的刻蚀方法，首先进行防反层的刻蚀；接着，进行氧化膜的主刻蚀，且追加过刻蚀，保持高的氧化膜对氮氧化硅的刻蚀速率选择比，使三种接触孔均停留在氮氧化硅形成的阻挡层上；然后，去除接触孔底部的反应生成物；再接着刻蚀氮氧化硅阻挡层及氮化硅层，使与栅极及源漏极连接的接触孔停止在金属硅化物层上，而与底部光电二极管相连接的接触孔停止在氧化膜层上；最后进一步刻蚀与光电二极管连接的接触孔下部的底部氧化膜层。通过上述方法，可以解决因接触孔欠刻蚀而引起的电路不通，或因过刻蚀而引起的器件漏电问题。

主权项

1.一种图像感应器的接触孔的刻蚀方法，包括连接栅极的接触孔、连接源漏极的接触孔及连接底部光电二极管的接触孔，其上具有多层膜，包括由DARC-SION组成的介质防反层、氧化层、氮氧化硅组成的阻挡层，连接栅极及源漏极的接触孔处进一步包括金属硅化物层，而连接底部光电二极管的接触孔处具有氮化硅层及底层氧化膜层，其包括以下步骤：第一步，对于氮氧化硅组成的防反层的刻蚀；第二步，氧化膜的主刻蚀，且追加过刻蚀，保持高的氧化膜对氮氧化硅的刻蚀速率选择比，使三种接触孔均停留在氮氧化硅形成的阻挡层上；第三步，去除接触孔底部的反应生成物；第四步，刻蚀氮氧化硅阻挡层及氮化硅层，保持高的氮氧化硅/氮化硅对氧化膜及金属硅化物的刻蚀速率选择比，使与栅极及源漏极连接的接触孔停止在金属硅化物层上，而与底部光电二极管相连接的接触孔停止在氧化膜层上；第五步，进一步刻蚀与光电二极管连接的接触孔下部的底部氧化膜层，保持较高的硅及金属硅化物的刻蚀速率选择比。