[发明专利]一种选择性氮氧化硅湿法刻蚀液有效
| 申请号： | 200410084265.0 | 申请日： | 2004-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1778991A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张擎雪;荣毅;仓凌盛;刘须电;王明琪 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/16 | 分类号： | C23F1/16;C23F1/30 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种选择性氮氧化硅(SiON)湿法刻蚀液，属于集成电路生产制造领域，所述刻蚀液组成为：0.40－1.00vol％的氢氟酸，55.00－65.00vol％的双氧水，34.00－45.60vol％的去离子水，并且所述氢氟酸浓度为49％，双氧水浓度为31％。本发明的氮氧化硅选择性刻蚀液，对SiON的刻蚀速率高，大于150/min；选择性好，SiON与SiO2的选择比大于10∶1，SiON与Si3N4的选择比大于35∶1，SiON/POLY－Si的选择比大于30∶1。该刻蚀液对氧化硅，氮化硅及多晶硅均具有良好的刻蚀选择性，可广泛应用于集成电路制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 氧化 湿法 刻蚀 | ||
【主权项】：
1.一种选择性氮氧化硅湿法刻蚀液，其组成为：0.40-1.00vol％的氢氟酸，55.00-65.00vol％的双氧水，34.00-45.60vol％的去离子水，并且所述氢氟酸浓度为49％，双氧水浓度为31％。
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