[发明专利]反射型和半透过型液晶显示装置以及它们的制造方法有效
| 申请号： | 200410084170.9 | 申请日： | 2004-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1609689A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | 宮本贤一;松井泰志;日野辉重;石贺展昭;吉田卓司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786;G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种可提高通过低电阻布线和出色的反射特性而具有良好显示特性的反射型及半透过型液晶显示板的制造合格率，同时可以简化工序的制造方法。本发明的反射型液晶显示装置的制造方法包括：在透明绝缘基板上形成第一金属薄膜构成的栅极布线和栅电极的第一工序；形成半导体层的第二工序；形成第二金属薄膜构成的源极布线、源电极、漏电极以及薄膜晶体管的沟道部的第三工序；形成层间绝缘膜并分别形成像素电极部表面上的凹凸形状、和接触孔的第四工序；以及成膜第三金属薄膜形成像素电极的第五工序，所述第一金属薄膜为双层膜，由AlNd膜和形成于该AlNd膜上层且添加了氮、碳或氧中的至少一种元素的AlNd膜构成。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 透过 液晶 显示装置 以及 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种反射型液晶显示装置的制造方法，其特征在于，该方法至少包括：在透明绝缘基板上成膜第一金属薄膜并使用第一光刻工艺形成栅极布线和栅电极的第一工序；依次成膜栅极绝缘膜、半导体有源膜和欧姆接触膜并使用第二光刻工艺形成半导体层的第二工序；成膜第二金属薄膜并使用第三光刻工艺形成源极布线、源电极、漏电极以及薄膜晶体管的沟道部的第三工序；形成层间绝缘膜并使用第四光刻工艺分别形成像素电极部表面上的凹凸形状和到达栅极布线端子部、源极布线端子部和漏电极的接触孔的第四工序；以及成膜第三金属薄膜并使用第五光刻工艺形成像素电极的第五工序，所述第一金属薄膜为双层膜，由AlNd膜和形成于该AlNd膜上层且添加了氮、碳或氧中的至少一种元素的AlNd膜构成。
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