[发明专利]化学汽相沉积设备无效
| 申请号: | 200410083864.0 | 申请日: | 2004-10-20 |
| 公开(公告)号: | CN1611637A | 公开(公告)日: | 2005-05-04 |
| 发明(设计)人: | 李京夏;金商喆;丁途日;朴玄洙 | 申请(专利权)人: | 次世设备有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人: | 周建秋;王敬波 |
| 地址: | 韩国大*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种用于在基质的整个范围内汽相沉积均匀薄膜的化学汽相沉积设备。所述化学汽相沉积设备包括一个与外部隔绝并保持真空的反应室;一个旋转地安装于反应室内并放有至少一片基质的基座;和一个注射器,其包括独立形成的第一和第二气体通道,以及在各自入口处连接各自气体通道的用于将各自的第一和第二气体注射到基座上的第一和第二气体注射管,所述注射器可独立注射不同的气体。所述注射器进一步包括一个与第二气体通道相连接的气体注射部分,以便将第一和第二气体中仅作为非反应载气的第二气体的载气注射到基座的中心区域。 | ||
| 搜索关键词: | 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】:
1、一种化学汽相沉积设备,包括:一个与外部隔绝并保持真空的反应室;一个旋转地安装于反应室内并放有至少一片基质的基座;和一个注射器,其包括独立形成的第一和第二气体通道,以及在各自入口处连接各自气体通道的用于将各自的第一和第二气体注射到基座上的第一和第二气体注射管,所述注射器独立地注射不同的气体;其中对应于基座的中心区域的部分仅安装有第二气体注射管,使得仅将第一和第二气体中作为非反应载气的第二气体注射到基座的中心区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于次世设备有限公司,未经次世设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410083864.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:使用空间二次谐波的双频带相控阵
- 下一篇:车辆驱动力控制设备
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





