[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200410083479.6 | 申请日： | 2004-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1612336A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | 成濑阳子;松原直辉;藤田和范 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置及其制造方法，当例如用铜或铜合金作为形成配线层的导体膜进行多层配线化时，能够进一步提高这些配线的可靠性。具有埋设在槽沟(3a)中的导体膜(5)，是在其上面在与阻挡层金属膜(4)接触的部分，与第二层间绝缘膜(3)的上面比较处于更下方位置的状态中形成的构造。此外，在其制造之际，在用CMP进行研磨处理后，在非氮化性环境中进行等离子体处理，在第二层间绝缘膜(3)的上层部分和导体膜(5)的上层部分形成损伤层。而且，通过蚀刻除去该损伤层的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括具有槽沟的绝缘膜、在所述槽沟的内壁面上形成的阻挡层金属膜、和通过该阻挡层金属膜埋设在所述槽沟中而形成的导体膜，其特征在于：所述导体膜形成为其上面至少在与所述阻挡层金属膜的接触部，位于比该阻挡层金属膜的上端更靠下方的位置。
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