[发明专利]具有HMP金属栅的半导体器件无效
| 申请号： | 200410083414.1 | 申请日： | 2004-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1610115A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | 田桑哲也 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/49;H01L29/78;H01L21/8238;H01L21/283;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件具有双栅电极结构。该栅电极具有包括掺杂多晶硅膜、WSi2膜、WN膜和W膜的层结构。形成在P沟道区域中的多晶硅膜上的WSi2膜形成有多个彼此隔开的WSi2微粒，从而防止了掺杂在多晶硅膜中的杂质的双边扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 hmp 金属 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：具有N沟道区域和P沟道区域的半导体衬底；以及分别形成在所述N沟道区域和所述P沟道区域中的N沟道晶体管和P沟道晶体管，所述N沟道晶体管和所述P沟道晶体管分别具有栅电极，每个栅电极具有层结构，该层结构包括掺杂了杂质的多晶硅膜、高熔点(HMP)金属硅化物膜、HMP金属氮化物膜和HMP金属膜，其中，所述P沟道晶体管的所述栅电极的所述HMP金属硅化物膜具有不连续的膜结构。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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