[发明专利]双极结晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200410083299.8 | 申请日： | 2004-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1627530A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 朴康旭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双极结晶体管及其制造方法。在该双极晶体管中，衬底具有第一导电类型的集电极区，单晶结构并包含第二导电类型杂质的基极层位于集电极区上。发射极区至少部分的由包括在基极层中的第一导电类型的杂质进行限定。第一导电类型的发射极电极接触发射极区，并且至少发射极电极与发射极区接触的部分具有单晶结构。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双极晶体管，包括：具有第一导电类型的集电极区的衬底；单晶结构并包括位于集电极区上的第二导电类型的杂质的基极层；至少部分由包含在基极层中的第一导电类型杂质限定的发射极区；以及接触发射极区的第一导电类型的发射极电极，其中至少发射极电极与发射极区接触的部分具有单晶结构。
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