[发明专利]厚外延层上进行投影光刻的方法无效
| 申请号： | 200410083009.X | 申请日： | 2004-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1632698A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 谭开洲 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400060重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种厚外延层上进行投影光刻的方法，适于投影光刻机在具有埋层图形硅片上形成的厚外延层上进行投影光刻，所述厚外延层为8－40μm。该方法包括：在所述厚外延层生成之前，在经处理的硅片上通过无对位标记投影曝光形成埋层图形；在具有埋层图形硅片上生成所述厚外延层之后，采用接触光刻方法进行电路图形对准，把所述的厚外延层上第一次电路图形和该厚外延层上后续投影光刻的对位标记图形同时制作在所述厚外延层上；以所述对位标记图形作为投影光刻机在所述厚外延层上后续各次投影光刻的对位标记，从而使投影光刻机及其精确的对位套准技术能方便地用于具有埋层图形硅片上生成的所述厚外延层上，提高这类半导体集成电路器件制造中的成品率和相应电路性能。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 进行 投影 光刻 方法 | ||
【主权项】：
1、一种厚外延层上进行投影光刻的方法，在准备好的、经氧化生成氧化层、涂覆有光刻胶的硅片上采用投影光刻机进行投影曝光、腐蚀形成埋层图形，掺杂形成埋层区域杂质分布，外延形成厚度为8--40μm厚外延层，其特征在于：(1)所述厚外延层形成之前，在所述硅片上采用投影光刻机进行无对位标记投影曝光光刻，形成埋层图形；(2)在所述具有埋层图形的硅片上形成所述厚外延层之后，采用接触光刻方法，通过所述厚外延层上的第一次电路图形与所述埋层图形进行对准，把所述厚外延层上的第一次电路图形和所述厚外延层上后续投影光刻的对位标记图形同时制作在所述厚外延层上；(3)以形成在所述厚外延层上的后续投影光刻对位标记图形作为投影光刻机在所述厚外延层上进行后续各次投影光刻的对位标记，进行后续各次投影光刻工序。
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