[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410082672.8 | 申请日： | 2004-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1755955A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗良;张智松 | 申请（专利权）人： | 国联光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种由非晶性氮化硅层、金属铝界面层、非晶性氮化铝前置层及多晶性含铝元素的III族氮化物层所构成的应力释缓层，其位于硅基板与III族氮化物半导体间，用以舒解III族氮化物材料与硅基板间因彼此晶格常数及热膨胀系数差异所产生的应力，避免因应力造成III族氮化物半导体破裂的III族氮化物半导体元件的结构与制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物半导体元件，包括：一单晶硅基板；一应力释缓层，位于该硅基板上方，包括：一非晶性氮化硅层，形成于该硅基板上；一金属铝界面层，形成于该非晶性氮化硅层上；一非晶性氮化铝前置层，形成于该金属铝界面层上；及一多晶性含铝元素的III族氮化物层，形成于该非晶性氮化铝前置层上方；及一单晶性III族氮化物半导体元件结构层，形成于该多晶性含铝元素的III族氮化物层上方。
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