[发明专利]具有槽型结构的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410082631.9 | 申请日： | 1998-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1607678A | 公开（公告）日： | 2005-04-20 |
| 发明（设计）人： | 中村胜光 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈景峻 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在具有槽型MOS栅结构的MOS栅功率器件等的半导体器件中，使槽内壁上形成的栅氧化膜的特性得到改善。形成从槽的内表面延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的绝缘膜，同时形成从槽的内部突出并延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的栅。此外，从槽的开口部到外表面将栅氧化膜形成得较厚，在槽的开口部处将栅作成剖面收缩的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有槽型结构的半导体器件，其特征在于，具有：已形成于半导体衬底的主面上的槽；至少已形成于所述槽的内表面上并在热氧化膜上层叠了CVD膜的2层结构、或在CVD膜上层叠了热氧化膜的2层结构、或在热氧化膜上层叠了CVD膜再层叠了热氧化膜的3层结构的绝缘膜；和至少已形成于所述槽的内部的导电部。
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