[发明专利]电子发射装置无效
| 申请号： | 200410082544.3 | 申请日： | 2004-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1661751A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | 李相辰 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/00 | 分类号： | H01J1/00;H01J1/304 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种电子发射装置，包括：形成在第一基板上并相互交叉的负电极和栅电极，在其间插入有绝缘层。在栅电极和绝缘层处形成开口部分，其露出所述负电极。在通过开口部分露出的负电极上形成电子发射源，每个电子发射源的面积小于所述开口部分的面积。在第二基板上形成正电极。在正电极上形成磷光层，每个磷光层均带有沿着第一方向延伸的长边和沿着第二方向延伸的短边。当从平面图中观看第一基板时，电子发射源满足下述条件：a＜b，其中“a”指的是在所述第一方向上电子发射源与栅电极之间的距离，而“b”指的是在所述第二方向上电子发射源与栅电极之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 装置 | ||
【主权项】：
1、一种电子发射装置，包括：以预定间距相互面对的第一基板和第二基板；形成于所述第一基板上并相互交叉的负电极和栅电极，并且在该负电极和栅电极之间设置有一绝缘层；形成于所述栅电极和绝缘层处的开口部分，其露出所述负电极；形成于通过所述开口部分露出的负电极上的电子发射源，每个电子发射源的面积均小于所述开口部分的面积；形成于所述第二基板上的正电极；以及形成于所述正电极上的磷光层，每个磷光层均带有沿着第一方向延伸的长边，和沿着第二方向延伸的短边；其中所述电子发射源满足下述条件：a＜b其中“a”指的是在第一方向上所述电子发射源与所述栅电极之间的距离，而“b”指的是在第二方向上所述电子发射源与所述栅电极之间的距离。
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